Транзистор j3y smd чем заменить
Перейти к содержимому

Транзистор j3y smd чем заменить

  • автор:

Поиск аналогов

Я понимаю, что надоедаю своей дотошностью, но все же скажу еще раз, только более детально:
1) Есть такая вот схема-конструктор.
2) Мне нужно собрать ее только на одной плате, вместе с микроконтроллером, который будет ее включать когда это потребуется через ключ на BC847C .
3) Естественно, в SMD (зачем мне делать двухстороннюю плату или колхозить DIP на односторонней, думаю, вы меня понимаете).
4) Так как оригинальная схема из конструктора зарекомендовала себя хорошо и ничего не сожгла (я имею ввиду ключ на BC847C), то соответственно, хотелось бы, чтобы аналог транзисторов, которые я ищу (а именно ss9012, ss9013) работали один в один, как в оригинале. Мне не нужно, чтобы схема работала лучше или громче (и потребляла больше тока соответственно), но и хуже тоже не нужно. Мне нужно чтобы она работала точно также как с оригинальными номиналами.

  • Slabovik
  • Сообщений: 17234
  • Зарегистрирован: Чт апр 04, 2013 12:46:59
  • Откуда: Тюмень
  • Сайт

Re: Поиск аналогов

Вт мар 12, 2019 05:56:53

Можно убиться в поисках «полного аналога» и так и не найти. А тем временем, ничем не выдающиеся транзисторы влёгкую меняются на 2N2222A и 2N2907A, которые имеют лучшие параметры и кузова (они есть в TO-92 и в SOT-23 — префикс MMBT). А главное преимущество — их легко приобрести

  • Asaba
  • Сообщений: 5635
  • Зарегистрирован: Пт авг 04, 2017 19:36:00
  • Откуда: постнурсултанат Боратистан

Re: Поиск аналогов

Вт мар 12, 2019 10:24:06

Чтобы не мучится с выбором в дальнейшем — возьмите за 2 доллара целый набор самых ходовых транзисторов и диодов в корпусе сот-23 общим количеством 150 шт.
S9012 (mark 2T1)
S9013 (mark J3)
S9014 (mark J6)
SS8050 (mark Y1) может заменить S8050 (J3Y)
SS8550 (mark Y2) может заменить S8550 (2TY)
BAV99 (mark A7W)
2N7002 (логотип 702 Вт)
BAV70 (mark A4T)
TL431 (Mark 431)
BAT54C (mark KL3)
MMBT3904 (mark 1)
MMBT3906 (mark 2A)
LL-34 1N4148 цилиндр
MMBT5401 (mark 2L)
MMBT5551 (mark G1)
https://ru.aliexpress.com/store/product . 31432.html
Там же взял заодно наборы ходовых стабилитронов всех видов корпуса.

  • угаки
  • Сообщений: 57
  • Зарегистрирован: Пт апр 08, 2016 19:02:30

Re: Мелкие вопросы по радиотехнике

Пт мар 15, 2019 21:06:57

Может ли кто-то подсказать распространенный и недорогой импортный транзистор мощностью примерно как у BD135, способный эффективно усиливать до частоты в 2 МГц?

  • Джин.
  • Сообщений: 680
  • Зарегистрирован: Ср мар 31, 2010 05:59:14
  • Сайт

Re: Мелкие вопросы по радиотехнике

Пт мар 15, 2019 21:22:26

Транзистор j3y smd чем заменить

Наименование производителя: S8050-MS
Маркировка: J3Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23

S8050-MS Datasheet (PDF)

..1. Size:4125K msksemi
s8050-ms.pdf

S8050-MS S8050-MS

www.msksemi.comS8050-MSSemiconductor CompianceSemiconductor CompianceTRANSISTOR (NPN)FEATURES Complimentary to S8550-MS Collector Current: IC=0.5A1. BASE2. EMITTERMARKING: J3Y SOT23 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage 40 V CBOV Collector-Emitter Voltage 25 V CEOV Emitter-Ba

0.1. Size:3792K msksemi
ss8050-ms.pdf

S8050-MS S8050-MS

www.msksemi.comSS8050-MSSemiconductor CompianceSemiconductor Compiance TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to SS8550-MS1. BASE MARKING: Y1 2. EMITTERSOT23 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector

8.1. Size:174K mcc
mmss8050-h.pdf

S8050-MS S8050-MS

MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operat

8.2. Size:181K mcc
mms8050-l.pdf

S8050-MS S8050-MS

MCCMMS8050-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMS8050-HPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating

8.3. Size:268K mcc
mmss8050-l mmss8050-h.pdf

S8050-MS S8050-MS

MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operatin

8.4. Size:181K mcc
mms8050-h.pdf

S8050-MS S8050-MS

MCCMMS8050-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMS8050-HPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating

8.5. Size:218K mcc
ms8050-l.pdf

S8050-MS S8050-MS

MCCMicro Commercial Components MS8050-LTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.2Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.8APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating an

8.6. Size:218K mcc
ms8050-h.pdf

S8050-MS S8050-MS

MCCMicro Commercial Components MS8050-LTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.2Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.8APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating an

8.7. Size:174K mcc
mmss8050-l.pdf

S8050-MS S8050-MS

MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operat

8.8. Size:179K mcc
ss8050-c-d.pdf

S8050-MS S8050-MS

MCCMicro Commercial ComponentsTMSS8050-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311SS8050-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.NPN Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storag

8.9. Size:631K slkor
ss8050-l ss8050-h ss8050-j.pdf

S8050-MS S8050-MS

SS8050TRANSISTOR(NPN)SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complimentary to SS8550 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power Dissipation 0.3 W Tj Junction Temperat

8.10. Size:1291K cn salltech
s8050-l s8050-h s8050-j.pdf

S8050-MS S8050-MS

S8050 TRANSISTOR(NPN) SOT-23 SOT-23 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors Features S8550 ; Complementary to S8550 300mW; Power Dissipation of 300mW High Stability and High Reliability Mechanical Data : SOT-23 SOT-23 Small Outline Plastic Package

8.11. Size:796K cn shandong jingdao microelectronics
ss8050-l ss8050-h ss8050-j.pdf

S8050-MS S8050-MS

Jingdao Microelectronics co.LTD SS8050 SS8050SOT-23NPN TRANSISTOR3FEATURES Complimentary to SS8550 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2SymbolParameter Value Unit1.BASECollectorBase Voltage VCBO 40 V2.EMITTERCollectorEmitter Voltage VCEO 25 V3.COLLECTOREmitterBase Voltage VEBO 5 V

8.12. Size:785K cn shandong jingdao microelectronics
s8050-l s8050-h s8050-j.pdf

S8050-MS S8050-MS

Jingdao Microelectronics co.LTD S8050S8050SOT-23NPN TRANSISTOR3FEATURES Complimentary to S8550 Collector Current: IC=0.5A 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2SymbolParameter Value Unit1.BASECollectorBase Voltage VCBO 40 V2.EMITTERCollectorEmitter Voltage VCEO 25 V3.COLLECTOREmi

8.13. Size:2083K cn puolop
ss8050-l ss8050-h ss8050-j.pdf

S8050-MS S8050-MS

SS8 050SOT-23 TRANSISTOR(NPN)FEATURES 1. BASE High Collector Current 2. EMITTER Complementary to SS8550 3. COLLECTOR MARKING: Y1MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector

8.14. Size:1239K cn puolop
s8050-l s8050-h.pdf

S8050-MS S8050-MS

S8 050TRANSISTOR(NPN)SOT-23 FEATURES Complementary to S8550 1. BASE Collector Current: IC=0.5A 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: J3Y MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector

8.15. Size:386K cn yfw
ss8050 ss8050-l ss8050-h ss8050-j.pdf

S8050-MS S8050-MS

SS8050 SOT-23 NPN Transistors321.BaseFeatures 2.Emitter1 3.CollectorCollector Current: IC=1.5A Simplified outline(SOT-23)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current -Continuous IC 1.5 ACollector Dissipation PC 0.3 WJunction Tempera

8.16. Size:316K cn yangzhou yangjie elec
s8050-l s8050-h.pdf

S8050-MS S8050-MS

RoHS RoHSCOMPLIANT COMPLIANTS8050-L THRU S8050-H NPN General Purpose Amplifier Features Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating Halogen free available upon request by adding suffix HF Moisture Sensitivity Level 1 Marking: S8050-L J3YL S8050-H J3Y Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Item Symbol Unit Conditions Value Coll

8.17. Size:320K cn yangzhou yangjie elec
ss8050-l ss8050-h.pdf

S8050-MS S8050-MS

RoHS COMPLIANT SS8050-L THRU SS8050-H NPN General Purpose Amplifier Features Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating Halogen free available upon request by adding suffix HF Moitsure Sensitivity Level 1 High Conductance Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion Mechanical Data Package: SOT-23 Molding compound meets UL 9

8.18. Size:1462K cn dowo
ss8050-1.5a.pdf

S8050-MS S8050-MS

SS8050-1.5ANPN TransistorFeatures SOT-23 For Switching and AF Amplifier Applications.Equivalent Circuit 1.Base 2.Emitter 3.Collector3.CollectorMarking Code : Y11.Base2. Emitter.Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage V 40 VCBOCollector Emitter Voltage V 25 VCEO

Характеристики транзистора J3Y

Характеристики транзистора J3Y идентичны с S8050, так как это одно и тоже устройство только в разных корпусах. Он может использоваться в выходном каскаде двухтактного усилителя. Кроме этого его часто используют в схемах разработанных на основе Arduino, системах управления источниками освещения, работающих на светодиодах и других устройствах. Он имеет n-p-n структуру.

Цоколевка

Транзистор J3Y выполнен в SMD корпусе, предназначенном для навесного монтажа. С одной стороны, у него расположены выводы базы и эмиттера, а с другой, коллектор. Внешний вид, размеры и главные технические характеристики приведены на следующем рисунке.

Технические характеристики

Как и все производители, в первую очередь рассмотрим максимально допустимые технические параметры. Именно они являются наиболее важные при выборе устройства для замены вышедшего из строя, а также при конструировании новых электронных устройств. Их превышение приведёт к выходу J3Y из строя. Также нежелательна эксплуатация этого транзистора в течении длительного времени при значениях близких к предельных. Тестирование данных характеристик происходит при стандартной температуре, равной +25 О С. В нашем случае они равны:

  • напряжение между К-Б VCBO (Uкб max) — 40 В;
  • напряжение между К-Э VCEO (Uкэ max) — 25 В;
  • напряжение между Э-Б VEBO (Uэб max) — 5 В;
  • ток через коллектор IC (Iк max) — 500 мА;
  • мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе – 300 мВт;
  • температура кристалла от -55 до +150 О С.

Кроме предельных следует рассмотреть и электрические величины. Их также следует учитывать, так как от них зависят возможности J3Y и сфера его применения. Они измеряются при той же температуре +25 О С. Другие важные для измерения параметры приведены в отдельной колонке следующей таблицы.

Параметры Режимы измерения Обозн. min typ max Ед. изм
Разность потенциалов при пробое К-Б IC = 100мкA, IЕ = 0В V(BR)CВO 40 В
Разность потенциалов при пробое К-Э IC=10мA, IВ= 0 В V(BR)CEО 25 В
Разность потенциалов при пробое Э-Б IВ= 0 В, IC= 0 В V(BR)EBO 5 В
Ток через К-Б (текущий в обратном направлении) V= 40В, IЕ = 0 ICВO 0,1 мкА
Ток через К-Э (текущий в обратном направлении) VCE= 20В, IВ= 0 ICEХ 0,1 мкА
Ток через эмиттер (текущий в обратном направлении) VEB = 6В, IC = 0 IEBO 0,1 мкА
Статический к-т усиления VCE=1 В,IC= 50 мA VCE=1 В, IC=500 мA hFE1 hFE2 120 50 350
Разность потенциалов К-Э (насыщения) IC= 500мA, IB = 50мA V CE(sat) 0,6 В
Разность потенциалов Б-Э (насыщения) IC= 500мA, IB = 50мA V ВE(sat) 1,2 В
Граничная частота к-та усиления VCE=6 В, IC= 20 мA, f=30 МГц fT 150 МГц

Транзисторы J3Y делятся на две группы в зависимости от коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером:

  • L в диапазоне 120 … 200;
  • H в диапазоне 200 …350.

Аналоги

Среди зарубежных транзисторов, с идентичными параметрами можно назвать следующие: MPS650, MPSA42, KSP06, MPS8050, KSP43, SS8050, 2SC1008, KSP42, S9013, MPS651, MPSA43, KSC1008, 2SD471A. Можно найти также отечественные аналоги для J3Y, это КТ6114(от А до В) и КТ968В. Имеется также комплементарная пара, это 2TY, который является устройством S8550 в SMD корпусе.

Производители

Среди зарубежных производителей отметим крупнейшие из них:

  • Daya Electric;
  • Diode Semiconductor Korea;
  • Foshan Blue Rocket Electronics;
  • SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS;
  • Shenzhen Yixinwei Technology;
  • SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY;
  • SUNMATE electronic;
  • Tiger Electronic;
  • Unisonic Technologies;
  • Weitron Technology;
  • Wing Shing Computer Components.

В отечественных магазинах можно встретить J3Y изготовленный такими компаниями:

  • Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
  • Nanjing International;
  • SeCoS Halbleitertechnologie.

Характеристики транзистора J3Y в smd-корпусе

СхемаТок

Транзистор J3Y — это S8050 просто так он обозначается в SMD-корпусе SOT-23 компании Samsung. Основное назначение разработки является: — усиление низкочастотных колебаний звуковой частоты в двухтактных каскадных схемах (класс B). Небольшие габариты и возможность поверхностного монтажа, сделали его очень популярным и широкоприменяемым устройством в самом разнообразном малогабаритном аудиооборудовании.

Типовые параметры этого замечательного полупроводникового устройства, в корпусе ТО-92, представлены в другой статье про S8050.

Цоколевка

Распиновка j3y smd

Транзистор J3Y в SMD-корпусе (он же SOT-23) имеет три металлических вывода и следующую цоколевку: база (Б), коллектор (К), эмиттер (Э). При этом, если смотреть на устройство сверху, то два контакта «Б» и «Э» находятся с одной стороны пластмассовой упаковки (снизу), а «К» с другой (сверху). Указанная распиновка (БКЭ) характерна для всех устройств с аналогичным конструктивным исполнением.

Технические характеристики j3y

Рассмотрим основные параметры транзистора J3Y. По своим свойствам он относится к кремниевым, маломощным, низкочастотным биполярным устройствам с структурой-NPN. Низкая стоимость, отличная линейность статического коэффициента усиления, способность выдерживать большие коллекторные токи до 800 мА (у некоторых производителей) и напряжение до 25 В, cделали это его одним из лидеров по применению в сегменте небольших бытовых аудиоустройств. Поэтому, его так легко можно найти практически в любом стареньком портативном CD-проигрывателе или плеере.

Предельно допустимые параметры

Приведем типовые максимальные параметры J3Y(SOT-23), встречающиеся в техописании большинства производителей, при температуре окружающей среды (Токр.) до +25 О С:

  • постоянное (DC) напряжение между выводами: К-Б (UКБмакс.) до 40В; К-Э (UКЭмакс.) до 25В; E-Б (UЭБмакс.) до 5 В;
  • ток коллектора (IКmax.) до 500 мА;
  • мощность рассеивания(PК макс.) до 300 мВт;
  • температура: кристалла (TК) до +150 О С; хранения (Тхран.) -55 … +150 О С.

Не допускайте длительную эксплуатацию радиодеталей на максимально допустимых значения эксплуатационных параметров, так как это уменьшает сроки их полезного использования или в большинстве случаев приводит в негодность.

Электрические параметры

Электрические параметры J3Y

В столбце «Режимы измерения» указаны условия измерений. Они также приводятся в даташит для Токр. = +25 О С., если не указывается иного.

J3Y имеют классификацию по степени усиления HFE1: L от 120 до 200;H от 200 до 350

Аналоги

В последнее время аналоги транзистора с символами “J3Y” на корпусе редко встречаются в продаже и встает вопрос «Чем его заменит?». Вместе с тем, их можно найти с названием S8050 или SS8050 в усовершенствованной пластмассовой упаковке SOT-23-3. Они лучше по своим параметрам, чем классический J3Y. Например, максимальный ток коллектора новых версий в три раза больше (до 1500 мА), а HFE достигает 400 (для классификации J). Если заглянуть в его техническое описание, то можно увидеть другую маркировку — “Y1”.

Также этот транзистор можно попробовать заменить на следующие: 2N583О, 2SC1ОО8, 2SC1ОО9, 2SD471A, BC537, BC538, KSC1ОО8, KSC1ОО9, KSPО5, KSPО6, KSP42, KSP43, MPS65О, MPS65ОG, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS66О2, MPS66О2G, MPS8О5О, MPSA42, MPSA43, MPSWО1, MPSWО1A, MPSWО1AG, MPSWО1G, MPSWО5, MPSWО5G, MPSWО6, MPSWО6G, MPSW42, MPSW42G, S9О13, SS8О5О, ZTX457.

Российские изделия с похожими параметрами: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.

Комплементарная пара

Комплементтарна парой для рассматриваемого устройства является S8550 в SMD-корпусе и маркировкой 2TY.

Производители

Вы можете скачать datasheet на j3y транзистор , кликнув по ссылке с наименованием изготовителя. В настоящее время его трудно найти в продаже с такой маркировкой, вместе с тем полный аналог S8050(SOT-23) широко представлен зарубежном. Его производят следующие компании: Hottech, SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy, Jiangsu High diode Semiconductor, Guilin Strong Micro-Electronics, Shenzhen City KOO CHIN, SHIKE Electronics, Shenzhen Yixinwei Technology, Tiger Electronic, Guangdong, Zhaoxingwei Electronics, SUNMATE electronic, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, MAKO SEMICONDUCTOR, Nanjing International, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, Diode Semiconductor Korea и др.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *