Чем заменить транзистор мп 41
Перейти к содержимому

Чем заменить транзистор мп 41

  • автор:

Транзистор МП41

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП41 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП41

  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (10к) В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 20 (150*) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30. 60 (5 В; 1 мА)
  • Обратный ток коллектора 1* МГц

МП41

МП41
Транзисторы МП41 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: аА0.336.635ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики транзистора МП41:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 150 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30. 60;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ

  • Характеристики
  • Задать вопрос
  • Предприятие ВПК России

Характеристики

Технические характеристики транзисторов МП41, МП41А:

Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
I К . макс. I К . и. макс. U КЭ R макс.
(U КЭО макс.)
U ЭБО макс. Р К . макс.
(Р К .и. макс)
h21Э U КБ
(U КЭ )
I Э
(I К )
U КЭ нас. I КБО fгp.
мА мА В В мВт В мА В мкА МГц
МП41 p-n-p 30 150 15 10 150 30. 60 5 1 15 1
МП41А p-n-p 30 150 15 10 150 50. 100 5 1 15 1

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
Iк. макс — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
Iк. и. макс — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
Uкэ R . макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
Uкэо. макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
Uэбо. макс — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
Рк. макс — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
Рк. и. макс — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h 21 Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
h 21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
Uкб — напряжение коллектор-база транзистора.
Uкэ R . макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
— ток эмиттера транзистора.
— постоянный ток коллектора транзистора.
Uкэ. нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
Iкбо — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
fгр— граничная частота коэффициента передачи тока.
fh 21 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

В наличии Нет
Тех. характеристики /pdf/tranzistor/mp39_40_41.pdf

Чем заменить транзистор мп 41

Наименование производителя: MP41
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

MP41 Datasheet (PDF)

0.1. Size:126K toshiba
mp4104.pdf

MP41 MP41

MP4104 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor 4 in 1) MP4104 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Small package by full molding (SIP 10 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) : P = 4 W (Ta = 25C) T

0.2. Size:165K toshiba
mp4104 .pdf

MP41 MP41

MP4104 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (Four Darlington Power Transistors in One) MP4104 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching Small package by full molding (SIP 10 pins) High collector power dissipation (4-device operation) : PT = 4 W (Ta = 25C)

0.3. Size:127K toshiba
mp4101.pdf

MP41 MP41

MP4101 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor 4 in 1) MP4101 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive. Inductive Load Switching. Small package by full molding (SIP 10 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) : P = 4 W (Ta = 25C) T Hi

0.4. Size:167K toshiba
mp4101 .pdf

MP41 MP41

MP4101 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (Four Darlington Power Transistors in One) MP4101 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive Inductive Load Switching Small package by full molding (SIP 10 pins) High collector power dissipation (4-device operation) : PT = 4 W (Ta = 25C)

Справочная информация о аналогах транзистора МП41

Данная страница содержит справочную информацию о аналогах транзистора МП41 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор МП41

транзистором 2N44A;
транзистором 2N613;
транзистором 2N64;

транзистором 2N44A;
транзистором 2N64;
транзистором 2N613;

Коллективный разум. Добавить аналог транзистора МП41.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора МП41? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *