Что такое восстанавливающийся диод
Перейти к содержимому

Что такое восстанавливающийся диод

  • автор:

Восстанавливающийся диод. Режим обратного восстановления

Восстанавливающийся диод. Режим обратного восстановления

Share on Facebook Share
Share on Twitter Tweet
Share on Google Plus Share
Share on Pinterest Share
Send email Mail

При быстрых изменениях напряжения на полупроводниковом диоде на основе обычного p-n перехода значение тока через диод, соответствующее статической вольт-амперной характеристике, устанавливается не сразу. Процесс установления тока при таких переключениях обычно называют переходным процессом. Переходные процессы в полупроводниковых диодах связаны с накоплением неосновных носителей в базе диода при его прямом включении и их рассасывании в базе при быстром изменении полярности напряжения на диоде. Так как электрическое поле в базе обычного диода отсутствует, то движение неосновных носителей в базе определяется законами диффузии и происходит относительно медленно. В результате кинетика накопления носителей в базе и их рассасывание влияют на динамические свойства диодов в режиме переключения.

Рассмотрим изменения тока I при переключении диода с прямого напряжения U на обратное напряжение. На рисунке 4.20 показаны эпюры изменения напряжения и тока на диоде.

Рис. 4.20. Эпюры изменения напряжения и тока при переключении диода:
а) напряжение; б) ток

В стационарном случае величина тока в диоде описывается уравнением . После завершения переходных процессов величина тока в диоде будет равна J 0 .

Рассмотрим кинетику переходного процесса, то есть изменение тока p-n перехода при переключении с прямого напряжения на обратное. При прямом смещении диода на основе несимметричного p-n перехода происходит инжекция неравновесных дырок в базу диода.

Изменение во времени и пространстве неравновесных инжектированных дырок в базе описывается уравнением непрерывности:

В момент времени t = 0 распределение инжектированных носителей в базе определяется из диффузионного уравнения и имеет вид:

Из общих положений ясно, что в момент переключения напряжения в диоде с прямого на обратное величина обратного тока будет существенно больше, чем тепловой ток диода. Это произойдет потому, что обратный ток диода обусловлен дрейфовой компонентой тока, а ее величина в свою очередь определяется концентрацией неосновных носителей. Эта концентрация значительно увеличена в базе диода за счет инжекции дырок из эмиттера и описывается в начальный момент уравнением (4.26).

С течением времени концентрация неравновесных носителей будет убывать, следовательно, будет убывать и обратный ток. За время t 2 , называемое временем восстановления обратного сопротивления или временем рассасывания, обратный ток придет к значению, равному тепловому току.

Для описания кинетики этого процесса запишем граничные и начальные условия для уравнения (4.25) в следующем виде.

В момент времени t = 0 справедливо уравнение (4.26). При установлении стационарного состояния в момент времени t → ∞ стационарное распределение неравновесных носителей в базе описывается соотношением: .

Обратный ток обусловлен только диффузией дырок к границе области пространственного заряда p-n перехода:

Процедура нахождения кинетики обратного тока следующая. Учитывая граничные условия, решается уравнение (4.25) и находится зависимость концентрации неравновесных носителей в базе p(x,t) от времени и координаты. На рисунке 4.21 приведены координатные зависимости концентрации p(x,t) в различные моменты времени.

Рис. 4.21. Координатные зависимости концентрации p(x,t) в различные моменты времени

Подставляя динамическую концентрацию p(x,t) в (4.27), находим кинетическую зависимость обратного тока J(t).

Зависимость обратного тока J(t) имеет следующий вид:

Здесь — дополнительная функция распределения ошибок, равная . Первое разложение дополнительной функции ошибок имеет вид: .

Разложим функцию (4.28) в ряд в случаях малых и больших времен: t > τ p . Получаем :

Из соотношения (4.30) следует, что в момент t = 0 величина обратного тока будет бесконечно большой. Физическим ограничением для этого тока будет служить максимальный ток, который может протекать через омическое сопротивление базы диода r Б при обратном напряжении U. Величина этого тока, называемого током среза J ср, равна: J ср = U/r Б.

Рис. 4.22. Зависимость обратного тока от времени при переключении диода

Время, в течение которого обратный ток постоянен, называют временем среза.

Для импульсных диодов время среза τ ср и время восстановления τ в обратного сопротивления диода являются важными параметрами. Для уменьшения их значения существуют несколько способов. Во-первых, можно уменьшать время жизни неравновесных носителей в базе диода за счет введения глубоких рекомбинационных центров в квазинейтральном объеме базы. Во-вторых, можно делать базу диода тонкой для того, чтобы неравновесные носители рекомбинировали на тыльной стороне базы.

Glen Chenier

На днях Линда из отдела снабжения зашла ко мне с проблемой: Лу из конструкторского отдела попросил ее найти замену для диода, сгоревшего в импульсном источнике питания. Чертова штука была маркирована странным номером, расшифровать который не помогло никакое гугление.

На корпусе был узнаваемый логотип изготовителя, но запросить у него справочные данные не представлялось возможным — маркировка типа осталась от давно проданной компании и в последующем никем не использовалась. Оставалось попытаться решить проблему самостоятельно.

По счастью в ЗиПе имелась вторая идентичная деталь, и Лу смог предоставить мне исправный диод того же типа. Теперь мне лишь оставалось выяснить, что же это такое. Обычный выпрямительный диод? Стабилитрон? Диод Шоттки? Какое обратное пробивное напряжение? Емкость перехода? Время восстановления?

Из размеров корпуса DO-41 несложно было заключить, что допустимая мощность составляет один ватт. Не составляло также труда пропустить различные токи и измерить прямое падение напряжения, чтобы убедиться, что это не диод Шоттки. Соединив последовательно несколько источников питания и постепенно увеличивая обратное напряжение (с токоограничительным резистором соответствующего сопротивления на случай достижения пробивного напряжения стабилитрона), я убедился, что это не стабилитрон — по крайней мере, в пределах испытательного напряжения 200 В.

Задача оценки требуемого максимально допустимого обратного напряжения могла быть решена путем первоначальной замены в схеме источника питания проверяемого прибора высоковольтным диодом и последующим измерением падающего на нем напряжения.

Таким образом, неизвестными остаются только емкость перехода C J и время восстановления обратного сопротивления T RR . Это время, в течение которого диод остается в проводящем состоянии после резкой смены прямого напряжения на обратное. Я должен был найти способ измерения этих параметров. И без какого-либо экзотического оборудования, лишь с тем, что необходимо для грубой оценки, другими словами, все, с чем я должен был работать — это функциональный генератор с временем спада 40 нс и 100-мегагерцовый осциллограф.

Измерительная установка была очень простой. На проверяемый диод подавались 5-вольтовые импульсы с таким постоянным смещением, чтобы диод открывался только на время положительных пиков импульсов. Осциллограф, подключенный к обоим выводам диода, синхронизировался отрицательным фронтом импульса генератора. Меняя постоянное напряжение смещения, можно было управлять прямым напряжением и током проводимости диода. Ток проводимости исследуемого диода измерялся по падению напряжения на последовательном сопротивлении 50 Ом.

Первые, что требовалось сделать — оценить работоспособность измерительной установки. Насколько адекватно эти доморощенные испытания отражают реальные характеристики диодов? Это было проверено путем измерений нескольких диодов с известными параметрами и сравнения результатов с информацией из технической документации. Я протестировал следующие диоды, и нашел результаты весьма интересными:

  1. — используемый в повседневной практике стандартный выпрямитель с указанным значением C J = 15 пФ и неизвестным T RR ;
  2. — быстродействующий переключающий диод с указанными значениями C J = 4 пФ и T RR = 8 нс;
  3. — сильноточный выпрямительный диод с быстрым восстановлением и указанными значениями C J = 300 пФ и T RR = 200 нс;
  4. Загадочный объект.

Для удобства сравнения масштаб по оси времени для всех осциллограмм выбран одинаковым и равным 100 нс/дел.

Это наглядно демонстрирует, насколько хорошо стандартный выпрямительный диод подходит для частоты 50 или 60 Гц, где постепенное плавное изменение обратного смещения происходит за время, намного превышающее T RR . Но вы можете видеть, что в режиме резких переключений диод становится виртуальным коротким замыканием на значительную часть периода. Нехорошо.

Теперь давайте, сравним предыдущие результаты с диодом 1N4148.

Небольшое время T RR делает диод пригодным для использования в сильноточных переключающих схемах, но даже при этом одним из факторов, ограничивающих рабочую частоту, будет то, как быстро диод выходит из состояния проводимости. Обойти это ограничение можно заменой диодов синхронно управляемыми МОП-транзисторами.

И, наконец, мы возьмем неизвестный диод.

Как и в предыдущем опыте, неизвестный диод испытывался при предельном выходном токе генератора. Прямой и обратный токи одинаковы и равны 100 мА. Масштаб по вертикали на время был увеличен до 5 В/дел. Время восстановления обратного сопротивления осталось равным 200 нс.

Опираясь на проведенные измерения, можно было заключить, что хорошим выбором для замены неизвестного диода с быстрым восстановлением могут быть UF4004 или UF4007. Я попросил Линду приобрести оба и предложить Лу первым испробовать 1000-вольтовый UF4007, чтобы, измерив падающее на нем обратное напряжение, определить, можно ли там использовать 400-вольтовый , чья вольтамперная характеристика ближе к неизвестному диоду.

ГОСТ 18986.8-73
Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Semiconductor diodes. Method for measuring reverce recovery time

Дата введения 1975-01-01

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 13 июля 1973 года N 1723
Изменение N 2 принято Межгосударственным Советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол N 3 от 18.02.93)
Зарегистрировано Техническим секретариатом МГС N 1439
За принятие проголосовали:

Наименование национального органа по стандартизации

Госстандарт Республики Казахстан

Главная государственная инспекция Туркменистана

2. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

3. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

4. Ограничение срока действия снято по протоколу Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 2-93)

5. ПЕРЕИЗДАНИЕ (май 1998 года) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в июне 1982 года, июле 1995 года (ИУС 9-82, 10-95)

Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления.
Общие требования при измерении и требования безопасности — по ГОСТ 18986.0.
Требования разд.4 настоящего стандарта являются обязательными, другие требования настоящего стандарта являются рекомендуемыми.

1. УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЙ

1. УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЙ

1.1. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±5) °С.

1.2. Прямой ток, обратное напряжение или обратный ток, при которых измеряют время обратного восстановления диода, должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

1.3, 1.4. (Исключены, Изм. N 1).

2. АППАРАТУРА

2.1. Принципиальная электрическая схема измерения времени обратного восстановления должна соответствовать указанной на черт.1.

Черт.1
— генератор прямого тока с выходным сопротивлением ; — генератор импульса обратного
напряжения с выходным сопротивлением ; , — выводы; — измеряемый диод;
— измерительное устройство с входным сопротивлением ; — точка земли

2.2. От генератора через измеряемый диод и входное сопротивление измерительного устройства подают постоянный или импульсный прямой ток в течение времени, достаточного для установления в измеряемом диоде неравновесных носителей заряда, соответствующего протекающему току.
Затем от генератора подают импульс обратного напряжения, запирающий измеряемый диод (при импульсном прямом токе допускается подача постоянного обратного напряжения).
Измерительным устройством измеряют отрезок времени от момента прохождения через нуль тока диода до момента, в который уменьшающийся обратный ток диода становится равным заданному отсчетному значению обратного тока .
Эпюра изображения временных параметров импульсов прямого и обратного напряжений, определяемых при короткозамкнутых выводах и (черт.1), показана на черт.2.

Эпюра тока, протекающего в цепи диода, показана на черт.3.

Эпюра установления обратного напряжения на диоде между точками и землей (черт.1) показана на черт.4.

2.1, 2.2. (Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

2.3. Генератор должен обеспечивать подачу через измеряемый диод постоянного или импульсного прямого тока заданного значения, при этом должны выполняться следующие требования:

а) значение прямого тока должно задаваться через диод с погрешностью в пределах ±3% для постоянного прямого тока и в пределах ±10% для импульсного прямого тока;

б) длительность импульса прямого тока должна быть не менее 5 для диода измеряемого типа;

в) неравномерность вершины импульса прямого тока при длительности 5 , отсчитанной от момента подачи импульса обратного напряжения, должна быть в пределах ±5%.
(Измененная редакция, Изм. N 1).

2.4. Генератор должен обеспечивать подачу импульса обратного напряжения на измеряемый диод (при импульсном прямом токе допускается подача постоянного обратного напряжения). При этом должны быть выполнены следующие требования:

а) амплитуда обратного напряжения или обратный ток должны быть установлены с погрешностью в пределах ±10%;

б) выходное сопротивление генератора должно быть таким, чтобы суммарное сопротивление () в цепи для тока обратного восстановления измеряемого диода соответствовало значению, установленному в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов. Для диодов с Проблемы коммутационных потерь
в полумостовых и мостовых схемах
Дополнение к книге
«Силовая электроника для любителей и профессионалов»
М.СОЛОН-Р 2001 г.
«Анализируя формулу для Рпер, приведенную на стр.92, я пришел к выводу, что на конечный результат оказывает сильное влияние Qrr. Предположив, что у меня плохой ПТ, я обратился к электронной документации International Rectifier и обнаружил следующее: для разных типов ПТ приводятся конкретные значения Qrr, приблизительно равные 6 мкКл, в то время как в перечне принятых сокращений этой же документации Qrr упоминается в нКл. Не хотелос бы считать «нКл» правдой только потому, что в такой размерности мощность переключения ПТ оказывается правдоподобной».
Стрыгин М.А., г.Краснодар

Замечено абсолютно верно: коммутационные потери в полумостовых и мостовых схемах в значительной степени зависят от характеристик оппозитных диодов, имеющихся в транзисторах MOSFET. Характеристики этих диодов в части заряда обратного восстановления Qrr, а значит и времени обратного восстановления trr, оставляют желать лучшего — примерно таких параметров, какие имеют диоды HEXFRED. Как было сказано в книге, фирмы-производители электронных компонентов пытаются разными технологическими приемами улучшить характеристики обратного восстановления оппозитных диодов, и им это в какой-то степени удается. Но окончательно исключить эти потери не получается, поэтому здесь мы подробно рассмотрим механизм формирования этих потерь.

Для сравнения в таблицу 1 сведены характеристики обратных диодов некоторых наиболее распространенных на отечественном рынке транзисторов MOSFET, а в таблицу 2 — характеристики диодов HEXFRED.

Таблица 2
Тип HEXFRED If, А Ifm, А Ufm, В trr, нс Qrr, нКл
HFA06TB120 8,0 80,0 3,0 80 320
HFA08TB60C 8,0 60,0 2,1 55 138
MUR1020CT 5,0 50,0 1,2 25 88
HFA30PB120 30,0 120,0 3,0 135 675
HFA70NH60 100,0 400,0 1,5 120 900

Обозначения в таблицах:
Is, If — номинальный постоянный прямой ток;
Ism, Ifm, — максимальный неповторяющийся пиковый ток;
Usd, Ufm — падение напряжения в открытом состоянии;
trr — время обратного восстановления;
Qrr — заряд обратного восстановления.

Приведенный в таблице 1 транзистор типа IRF740 достаточно часто используется в современных источниках питания, в том числе в источниках полумостового и мостового типа, так как выпускается давно. Рассчитаем мощность, выделяющуюся на этапе обратного восстановления его оппозитного диода при работе в полумосте. Согласно формуле, приведенной на странице 92, она составляет:

Мы пошли на упрощение и не стали учитывать мощность, выделяющуюся при переключении, а также статические потери на сопротивлении транзистора в открытом состоянии. Нетрудно подсчитать, что при питании напряжением 310 В и частоте 20 кГц мощность, выделяющая при обратном восстановлении, составляет 25 Вт при допустимой мощности рассеяния 125 Вт. С повышением частоты мощность обратного восстановления растет, что представляет собой серьезное препятствие для повышения рабочей частоты преобразователей.

Создается впечатление, что потери обратного восстановления не отрегулировать никакими схемотехническими методами, кроме снижения частоты переключения и понижения напряжения, при котором происходит обратное восстановление — в расчетной формуле более нет параметров, которые так или иначе могут этому способствовать. Следовательно, нужно выбирать транзистор с максимально улучшенными показателями заряда обратного восстановления, или проектировать большой радиатор, что, конечно, далеко не всегда доступно.

Если подойти к анализу ситуации немного глубже, то окажется, что заряд обратного восстановления (и, соответственно, время обратного восстановления) — величины непостоянные. Но чтобы понять, почему это так, давайте проанализируем процесс появления этих потерь в полумостовых и мостовых схемах.

Наиболее характерный случай, когда транзисторы работают в так называемом «тяжелом режиме переключения», является коммутация большой индуктивной нагрузки (пример — обмотка электрического двигателя). В этом случае длительность открытого состояния «верхнего» и «нижнего» ключевых элементов полумоста и моста могут быть неравными, и в предельном случае открывающие импульсы одного из элементов вообще исчезают. К примеру, если коммутируется только «верхний» ключ, схема превращается в «чоппер», а роль разрядного диода, поддерживающего индуктивный ток, выполняет оппозитный диод «нижнего» ключа. В чоппере разрядный диод выбирается специально, здесь же свойствами диода управлять нет возможности — какой диод есть, такой есть. Что происходит в этом случае, подробно описано в главе «Подводные камни коммутационных процессов». Именно эти потери учитываются формулами на стр.92 книги.

В случае работы мостов и полумостов в инверторах и преобразователях напряжения ситуация описывается несколько сложнее. Поскольку ток в первичной обмотке трансформатора меняет свое направление, причем управляющие импульсы симметричны, и ситуация «тяжелого переключения» не возникает, поскольку вслед за открыванием обратного диода открывается и транзистор, шунтированный этим диодом. Ток в индуктивности «разворачивается». Конечно, необходимо учитывать этот прямой ток через диод, так как он выделяет на диоде мощность в виде тепла.

А теперь вернемся к «тяжелому переключению» транзисторов и рассмотрим процесс обратного восстановления по документации фирмы International Rectifier. Фирма приводит достаточно мало информации по параметрам оппозитных диодов. Поэтому придется изучить этот процесс на примере HEXFRED диодов, учитывая, что процессы обратного восстановления диодов качественно похожи. Итак, график обратного восстановления диода, приведенный на рис.2 , был достаточно подробно рассмотрен в книге.

Оказывается также, что заряд обратного восстановления диода, согласно рис.3 , очень слабо зависит от прямого тока, протекающего через диод, но в значительной степени определяется величиной изменения этого тока во времени — производной. На практике это означает, что замедление коммутационного процесса, вызывающего обратное восстановление, может снижать заряд, а значит, и выделяемую энергию. Это означает, что полевые транзисторы должны открываться достаточно медленно. Обеспечить такое открывание может ограничение тока затвора с помощью увеличения затворного резистора, а также шунтирование транзисторов снабберами, ограничивающими скорость переключения. Правда, при этом растут коммутационные динамические потери.

Еще один интересный график (рис.4 ) отражает скорость спадания тока восстановления в зависимости от изменения прямого тока. Таким образом, чем меньше скорость изменения прямого тока, тем меньше площадь под кривой на рис.2 — тем меньше заряд обратного восстановления.

Литература
1. А.И.Колпаков «В лабиринте силовой электроники» СПб, 2000 г.
2. под ред.В.В.Токарева «Силовые полупроводниковые приборы» Воронеж, 1995 г. (по материалам фирмы International Rectifier».
3. S.Clemente, B.Pelly «Преобразователь для управления скоростью двигателя, использующий параллельно соединенные мощные MOSFET», AN-941B, International Rectifier.
4. HFA06TB120 «Ultrafast Soft Recovery Diode». PD -2.382 rev. C 01/2000. International Rectifier.

F2KF, [SMAF] быстро восстанавливающийся диод 2А 800В

F2KF, [SMAF] быстро восстанавливающийся диод 2А 800В YJ

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Корзина ×

Товар добавлен в корзину!

Альтернативные предложения на F2KF

Цена зависит от количества. Укажите требуемое количество и вам будут предложены лучшие цены и условия поставки.

Наименование Цены, руб. с НДС Условие
поставки
Наличие В корзину
F2KF, [SMAF] быстро восстанавливающийся диод 2А 800В
YJ
номенклатурный номер 2015148291
от 10000 — 1.96
от 7000 — 2.03
от 4000 — 2.09
от 1000 — 2.16
от 1 — 3.00
под заказ
цена ориентировочная
нет

Цены указаны с учетом НДС

Внимание:
  • +7(495) 97-000-99
  • ®ПЛАТАН с 1991 г.
  • www.platan.ru с 1997 г.
  • Как купить
  • Как сделать заказ
  • Доставка заказа
  • Способы оплаты
  • Оплата картой
  • Возврат и обмен товара

Назначение Диодов

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Поделиться

Последние посетители 0 пользователей онлайн

  • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу

Объявления

Сообщения

Нужно дополнить схему двумя пускателями с дополнительными НЗ контактами. Т.к. на фото пульт только «вверх-вниз»

А ничЁ. Ответьте первому сверху страницы

v1ct0r

да хоть 100 не пульты должны блокироваться а контакторы «вверх/вниз» и «лево/право»(если они есть) должны блокировать друг друга

ДядяВован

Указать 450 мА вместо 500 мА это, конечно, «непростительная» ошибка. А вот такие заявления, это нормально. Ну 0,7 я понял, это скорее всего в литрах.

тимвал

Легко но вы не сделали. Так вот первый вариант, как раз и есть «риполь». А то что Вы сделали, как я и сказал, не «риполь».

v1ct0r

именно благодаря этому охлаждение хорошее (+ линейка сама по себе охлаждается лучше, чем другие варианты светильников) они и работают относительно долго я у всех ламп, где нет возможности случайного касания, снимаю колбы и тоже живут долго — пока ни одна из них не вышла из строя

Для модульного схема и плата oleg1ma.zip DC-DC.zip Прошивка Прошивка.zip Новая папка.zip Как сделать дроссель Дроссель.zip Платы все рабочие. Можно делать и в домашних условиях ЛУТом или фоторезистом

Функции восстанавливающихся диодов

В некоторых ситуациях существенно важным является такой параметр, как скорость обратного восстановления защитных диодов. Назначение быстровосстанавливающихся диодов — применение в сетях с высокой частотой напряжения, где лишние секунды в процессе восстановления могут привести к перегреванию диода и выхода оборудования из строя.

Быстровосстанавливающиеся диоды — что это

Быстровосстанавливающиеся диоды в своей основе имеют ту же конструкцию, что и обычные. Это полупроводник из двух пластин кремния или германия. В обычных моделях одна из пластин покрывается фосфором для р-проводимости с дырочным типом заряда, вторая — алюминием, бромом или индием для n-проводимости с основными носителем заряда в виде электронов.

В быстровосстанавливающихся диодах проводящие пластины покрываются золотым или платиновым слоем. Такой прием позволяет сократить период обратного восстановления с 25-100 микросекунд для обычного диода до 3-5.

Назначение быстровосстанавливающихся диодов

Применение быстровосстанавливающихся диодов с их устойчивостью к пробоям и нагреванию позволяет обезопасить работу высокочастотных сетей, избежать сбоев из-за скачков напряжения и электропотерь.

При выборе диодов для установки в электрооборудование для его защиты от колебаний тока следует учитывать электротехнические характеристики таких моделей. При высокой скорости обратного восстановления диапазон рабочих параметров тока ограничен. Допустимая сила тока составляет до одного килоампера, напряжение — до трех киловольт.

Поэтому при покупке модели нужно смотреть на следующие параметры:

  • предел допустимого тока и напряжения;
  • емкость;
  • время обратного восстановления;
  • показатель падения напряжения;
  • ток утечки;
  • тип полярности подключения — прямая или обратная;
  • тип и размер корпуса;
  • тип монтажа;
  • диапазон рабочих температур.

Выбирайте быстровосстанавливающиеся диоды для надежной защиты оборудования в нашем каталоге. В товарных карточках в разделе диодов подробно описаны характеристики моделей, приведены схемы подключения, есть официальная документация. При выборе ориентируйтесь на описания или проконсультируйтесь с нашими менеджерами. Связаться с нами можно по бесплатным телефонам вверху страницы или в форме обратного звонка.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *